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堺10代工厂公开LTPS试制品玻璃基板采用激光退火

更新时间  2022-04-05 00:04 阅读
本文摘要:堺显示器产品公司(SDP)在用于全球仅次于尺寸(2880mm3130mm)玻璃基板的该公司第10代液晶工厂,顺利批量生产了低温多晶硅(LTPS)TFT液晶面板。该公司在日前举办的显示器学会SID2016的开发人员见面会上首次公开发表了试制品(公开发表序号:67.1)。据介绍,这是在堺工厂制作的第一款低温多晶硅TFT液晶面板,屏幕尺寸为19.5英寸,像素数为4K(38402160),细致度为226ppi。

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堺显示器产品公司(SDP)在用于全球仅次于尺寸(2880mm3130mm)玻璃基板的该公司第10代液晶工厂,顺利批量生产了低温多晶硅(LTPS)TFT液晶面板。该公司在日前举办的显示器学会SID2016的开发人员见面会上首次公开发表了试制品(公开发表序号:67.1)。据介绍,这是在堺工厂制作的第一款低温多晶硅TFT液晶面板,屏幕尺寸为19.5英寸,像素数为4K(38402160),细致度为226ppi。

  SDP计划2017年初开始生产使用该技术的栅极驱动电路一体型8K低细致(326ppi)液晶面板。此次公布的LTPS技术设想在堺的第10代工厂引入,用作量产8K等大型低细致液晶电视和大型有机EL电视用于的面板。

据介绍,从现有的非晶硅TFT工厂展开切换所需的新增投资成本较较少,还有望构建低生产效率。新增投资成本只有向使用以往技术的LTPSTFT生产线切换时的1/9,向IGZOTFT生产线切换时的1/2。  那么,为何使用LTPS呢?原因是,与现在的大型面板用于的非晶硅TFT比起,LTPSTFT的载流子迁移率低,更容易驱动8K等低细致液晶面板和元件通电的有机EL面板。

不过,LTPS此前只被用作利用第6代以下基板生产的中小型面板。原因在于生产装置。LTPS是通过向大型液晶面板用于的非晶硅膜太阳光激光展开热处理,使熔融的硅新的结晶制作而出的。

但以往的激光退火技术没反对第10代大型玻璃基板的装置,最多不能反对第6代基板。  因此,SDP引入了能反对第10代大型玻璃基板的全新激光退火技术,也就是需要仪器地局部太阳光激光的局部激光退火技术。该公司把利用该技术制作的多晶硅称作PLAS(PartialLaserAnnealSilicon)。

现在的LTPS工厂都是使用通过光束线对整面基板展开热处理的准分子激光退火技术。  局部激光退火技术的特点是,需要像以往技术那样向整面基板太阳光激光,因此激光退火工序的处置时间可以延长一位数。另外,以往的LTPS使用顶栅结构,而使用局部激光退火技术的LTPS可以必要用于非晶硅TFT的底栅结构。而且需要引入像IGZO那样的新材料。

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因此,堺第10代工厂等非晶硅TFT生产线构建LTPS化时,优点是新增的成膜工序、光刻工序以及适当的生产装置较为较少。  利用局部激光退火技术制作的LTPSTFT的载流子迁移率相比之下低于非晶硅,与IGZO为同等水平。

利用第2.5代试产线制作的TFT的载流子迁移率为28.1cm2。


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